Компания SK Hynix известила о начале выпуска памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ. Любая микросхема состоит из 4 кристаллов плотностью 16 Гбит, трудится при низком напряжении 0,6 В и при подключении к 64-разрядной шине памяти способна выдавать скорость 34,1 ГБ/с. Габариты — 12 х 12,7 х 1 мм. Память назначена и для смартфонов, и для ноутбуков и даже для автомобилей.
Напомним, что первопроходцем по выпуску LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ еще в октябре минувшего года сделалась Samsung.
Источник: ferra.ru
Прочитайте по теме ещё:
Western Digital представила новые чипы 3D NAND плотностью 512 Гбит 
Представлены жесткие диски Toshiba MN объемом до 8 ТБ 
SK Hynix разработала 8-Гбайт микросхему памяти LPDDR4 для мобильных устройств Computex 2016: Plextor демонстрирует недорогой SSD на PCIe, а также накопители на базе TLC-памяти SK Hynix 
