Автор: Алексей Степин
Ещё год назад мы сообщали, что компании Toshiba и SanDisk ведут деятельные исследовательские работы по созданию недорогой многослойной флеш-памяти под наименованием BiCS (bit cost scalable) 3D NAND и планируют начать её производство в 2016 году. Ныне SanDisk относится одному из крупнейших производителей различных устройств хранения этих, корпорации Western Digital, и является её подразделением, но ранее узник альянс сохранил силу, и на днях компании объявили об успешном создании первых в вселенной 64-слойных чипов флеш-памяти BiCS 3D NAND, способных хранить по три колочена в каждой ячейке.
Первые чипы BiCS 3D NAND уже есть в кремнии
Первые небольшие по объёмам поставки новых микросхем завяжутся уже в конце этого года, а в полную силу производство надлежит развернуться в первой половине следующего, 2017 года. В сегодняшнее время ведётся монтаж производственных линий. В сравнении с традиционной на ныне 48-слойной флеш-памятью, выпускаемой Samsung, BiCS 3D NAND может предложить в 1,4 раза немало плотную упаковку данных. Это позволит создать либо немало ёмкие чипы в аналогичном форм-факторе, либо чипы немало компактных размеров при неизменной ёмкости. К тому же BiCS 3D NAND имеет меньшую себестоимость производства, а значит, и стоимость конечных продуктов на базе этой памяти будет ниже. С надёжностью же у этой технологии дела обстоят пять, как и у других версий 3D NAND.
Устройство и преимущества BiCS 3D NAND
Первыми касатками станут чипы BiCS 3D NAND ёмкостью 256 Гбит, что в пересчёте на немало привычные пользователю единицы составляет 32 Гбайт. Другими словами, небольшой флеш-накопитель на базе новой технологии Toshiba и WD будет заключаться всего из двух чипов: контроллера и собственно микросхемы BiCS 3D NAND. Собственно эта ёмкость пока является основной в планах альянса на 2017 год, но в грядущем партнёры по бизнесу рассматривают возможность вывода на рынок аналогичных микросхем ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайт). Как видим, предприятие, затеянное SanDisk и Toshiba, увенчалось целым успехом. План был даже перевыполнен: первоначально технология BiCS NAND была 48-слойной. Ожидаем появления первых устройств на базе новой многослойной памяти.
