Японская компания Toshiba планирует выстроить новый завод для выпуска многослойной памяти 3D NAND (или BiCS FLASH), какая позволяет нарасщивать NAND-флэш память без необходимости снижать технологический процесс. 3D NAND без проблем создается на устаревшем и недорогом оборудовании в 35-45 нм. Таким манером (из-за удешевления производства), можно рассчитывать на снижение стоимости в ближайшем будущем.
Завод собираются построить в Йоккаити. Это будет весьма современное здание, защищенное от землетрясений, с LED-освещением, энергосберегающим оборудованием и даже частично оснащенное ненастоящим интеллектом. Потратить на это Toshiba собирается около 3,2 биллионов долларов. Первая очередь строительства начнется в феврале 2017-го, а трудиться завод начнет летом 2018-го. Рядом с фабрикой также выстроят центр по исследованиям и разработками.
